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首页 全部分类 IRFI4510GPBF vs STF80N10F7

IRFI4510GPBF备选型号: STF80N10F7

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRFI4510GPBF
    Infineon Technologies
    IRFI4510GPBF N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-220FP Infineon
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    6.000006g
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    ISOLATED
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 21A, 10V
    4V @ 100μA
    2998pF @ 50V
    81nC @ 10V
    33ns
    ±20V
    37 ns
    35A
    2V
    TO-220AB
    20V
    100V
    206 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF80N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.240009g
    SILICON
    40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 40A, 10V
    4.5V @ 250μA
    3100pF @ 50V
    45nC @ 10V
    13.5ns
    ±20V
    21 ns
    40A
    -
    TO-220AB
    25V
    100V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    ULTRA LOW-ON RESISTANCE
    STF80N
    1
    Single
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
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