IRFL014NTRPBF备选型号: IRLL014NTRPBF

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 双电源电压
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    1.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    160mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    55V
    DUAL
    鸥翼
    1.9A
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 1.9A, 10V
    4V @ 250μA
    190pF @ 25V
    11nC @ 10V
    7.1ns
    ±20V
    3.3 ns
    1.9A
    4V
    20V
    2.7A
    55V
    61 ns
    4 V
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    200mOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    55V
    DUAL
    鸥翼
    2A
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    5.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 2A, 10V
    2V @ 250μA
    230pF @ 25V
    14nC @ 10V
    4.9ns
    ±16V
    2.9 ns
    2A
    2V
    16V
    2A
    55V
    61 ns
    2 V
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    e3
    55V
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