IRFL014NTRPBF备选型号: IRLL014NTRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 双电源电压
- MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT22312 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3SILICON1.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004活跃1 (Unlimited)4EAR99160mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY55VDUAL鸥翼1.9AR-PDSO-G4Single增强型MOSFET2.1WDRAIN6.6 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 1.9A, 10V4V @ 250μA190pF @ 25V11nC @ 10V7.1ns±20V3.3 ns1.9A4V20V2.7A55V61 ns4 V1.4478mm6.6802mm3.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
- MOSFET N-CH 55V 2A SOT22312 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3SILICON2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1999活跃1 (Unlimited)4EAR99200mOhmAVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE55VDUAL鸥翼2AR-PDSO-G4Single增强型MOSFET2.1WDRAIN5.1 nsN-ChannelSWITCHING140m Ω @ 2A, 10V2V @ 250μA230pF @ 25V14nC @ 10V4.9ns±16V2.9 ns2A2V16V2A55V61 ns2 V1.4478mm6.6802mm3.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Tine355V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZXMP6A13GTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 | 对比 |




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