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首页 全部分类 IRFL4310TRPBF vs BSP372NH6327XTSA1

IRFL4310TRPBF备选型号: BSP372NH6327XTSA1

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  • 终端形式
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 制造商包装标识符
  • 引脚数量
  • 配置
  • 无卤素
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Infineon Technologies
    IRFL4310TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    200mOhm
    HIGH RELIABILITY
    100V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1.6A
    30
    R-PDSO-G4
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    7.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 1.6A, 10V
    4V @ 250μA
    330pF @ 25V
    25nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    20 ns
    1.6A
    2V
    20V
    2.2A
    100V
    110 ns
    150°C
    4 V
    100V
    1.8mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP372NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    雪崩 额定
    -
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    1
    -
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    5.1 ns
    N-Channel
    -
    230m Ω @ 1.8A, 10V
    1.8V @ 218μA
    329pF @ 25V
    14.3nC @ 10V
    6.7ns
    ±20V
    -
    1.8A
    1.4V
    20V
    -
    100V
    -
    150°C
    -
    -
    1.7mm
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-SOT223-4
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    100V
    0.23Ohm
    28 pF
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