我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IRFM120ATF备选型号: BSP373NH6327XTSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 无卤素
- 最大双电源电压
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3188mgSILICON2.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2002e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99200MOhm100VDUAL鸥翼2.3AR-PDSO-G4Single增强型MOSFET2.4WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING200m Ω @ 1.15A, 10V4V @ 250μA480pF @ 25V22nC @ 10V14ns±20V28 ns2.3A4V20V100V1.7mm6.7mm3.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R-10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4250.212891mgSILICON1.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3-活跃1 (Unlimited)4EAR99--DUAL鸥翼--Single增强型MOSFET1.8WDRAIN4.6 nsN-Channel-240m Ω @ 1.8A, 10V4V @ 218μA265pF @ 25V9.3nC @ 10V5.9ns±20V13.5 ns1.8A3V20V----无SVHC-ROHS3 Compliant无铅OptiMOS™雪崩 额定未说明未说明无卤素100V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQT7N10TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| STN2NF10 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| IRLM120ATF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 | 对比 |
哦! 它是空的。