您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFP054NPBF vs IRFP044NPBF

IRFP054NPBF备选型号: IRFP044NPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRFP054NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    81A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    55V
    72A
    5.45mm
    Single
    增强型MOSFET
    130W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 43A, 10V
    4V @ 250μA
    2900pF @ 25V
    130nC @ 10V
    66ns
    ±20V
    46 ns
    81A
    4V
    TO-247AC
    20V
    55V
    290A
    55V
    120 ns
    4 V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP044NPBF
    Infineon Technologies
    Transistor MOSFET Negative Channel 55 Volt 53A 3-Pin(3 Tab) TO-247AC
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    53A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    1997
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    55V
    53A
    5.45mm
    Single
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 29A, 10V
    4V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    61nC @ 10V
    80ns
    ±20V
    52 ns
    53A
    4V
    TO-247AC
    20V
    55V
    -
    55V
    110 ns
    4 V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    250
    30
    1
    49A
    0.02Ohm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFP044NPBF IRFP044NPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 Transistor MOSFET Negative Channel 55 Volt 53A 3-Pin(3 Tab) TO-247AC 对比
IRFP1405PBF IRFP1405PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC 对比
IRFP048NPBF IRFP048NPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC 对比