Infineon Technologies IRFP044NPBF

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

53A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

120W Tc

Turn Off Delay Time

43 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Bulk

系列

HEXFET®

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

55V

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

额定电流

53A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

螺纹距离

5.45mm

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

61nC @ 10V

上升时间

80ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

52 ns

连续放电电流(ID)

53A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

49A

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

恢复时间

110 ns

栅源电压

4 V

高度

20.7mm

长度

15.87mm

宽度

5.3086mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅