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IRFP260NPBF备选型号: IRFP250MPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs /-20V12 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON50A Tc-55°C~175°C TJBulkHEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)3通孔EAR9940mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE200V25050A30Single增强型MOSFET300WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 28A, 10V4V @ 250μA4057pF @ 25V234nC @ 10V60ns±20V48 ns50A4VTO-247AC20V200V200A200V560 mJ402 ns4 V20.2946mm15.875mm5.3mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free- MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC12 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON30A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2009e3活跃1 (Unlimited)3-EAR9975MOhm镍外哑光锡AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY-250-30Single增强型MOSFET214W-14 nsN-ChannelSWITCHING75m Ω @ 18A, 10V4V @ 250μA2159pF @ 25V123nC @ 10V43ns±20V33 ns30A4VTO-247AC20V200V-----21.1mm16.129mm5.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP260MPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC | 对比 |
| IRFP250MPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC | 对比 |
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