Infineon Technologies IRFP260MPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍外哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 28A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4057pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

234nC @ 10V

上升时间

60ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

48 ns

连续放电电流(ID)

50A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

雪崩能量等级（Eas）

560 mJ

高度

21.1mm

长度

16.129mm

宽度

5.2mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅