IRFP260NPBF备选型号: IRFP3415PBF

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  • 工厂交货时间
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs /-20V
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    40mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    200V
    250
    50A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 28A, 10V
    4V @ 250μA
    4057pF @ 25V
    234nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    48 ns
    50A
    4V
    TO-247AC
    20V
    200V
    200A
    200V
    560 mJ
    402 ns
    4 V
    20.2946mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    2003
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    42mOhm
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    150V
    -
    43A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    42m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    2400pF @ 25V
    200nC @ 10V
    55ns
    ±20V
    69 ns
    43A
    4V
    TO-247AC
    20V
    150V
    -
    150V
    590 mJ
    -
    4 V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
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