IRFP3710PBF备选型号: IRFP140NPBF

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.025 Ohm; Id 57A; TO-247AC; Pd 200W; Vgs /-20V
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    57A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    雪崩 额定
    100V
    57A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 28A, 10V
    4V @ 250μA
    3000pF @ 25V
    190nC @ 10V
    59ns
    ±20V
    48 ns
    57A
    2V
    TO-247AC
    20V
    0.025Ohm
    100V
    100V
    320 ns
    175°C
    4 V
    24.99mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
  • Infineon Technologies
    In a Tube of 25, IRFP140NPBF N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-247AC Infineon
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    33A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    雪崩 额定
    100V
    27A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    94W
    DRAIN
    8.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    52m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    1400pF @ 25V
    94nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    33 ns
    33A
    4V
    TO-247AC
    20V
    -
    100V
    100V
    250 ns
    -
    4 V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    52mOhm
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