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首页 全部分类 IRFP4229PBF vs IRFP260MPBF

IRFP4229PBF备选型号: IRFP260MPBF

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFP4229PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET Operating temperature: -40... 175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    44A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    46MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    310mW
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    46m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    4560pF @ 25V
    110nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    19 ns
    44A
    5V
    TO-247AC
    30V
    250V
    250V
    290 ns
    5 V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP260MPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    -
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 28A, 10V
    4V @ 250μA
    4057pF @ 25V
    234nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    48 ns
    50A
    4V
    TO-247AC
    20V
    200V
    -
    -
    -
    21.1mm
    16.129mm
    5.2mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    镍外哑光锡
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    250
    30
    不合格
    0.04Ohm
    200A
    560 mJ
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