您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFR2607ZPBF vs FDD86326

IRFR2607ZPBF备选型号: FDD86326

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRFR2607ZPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFR2607ZPBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2002
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    22MOhm
    75V
    42A
    Single
    110W
    14 ns
    N-Channel
    22m Ω @ 30A, 10V
    4V @ 50μA
    1440pF @ 25V
    51nC @ 10V
    59ns
    ±20V
    28 ns
    42A
    4V
    20V
    75V
    2 V
    2.2606mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86326
    ON Semiconductor
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 37 A, 23 mO
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    8A Ta 37A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    62W
    7.6 ns
    N-Channel
    23m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    1035pF @ 50V
    19nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    2.9 ns
    42A
    3.1V
    20V
    -
    3.1 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    8A
    80V
    40A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD127N06LGBTMA1 IPD127N06LGBTMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比
FDD86326 FDD86326 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 37 A, 23 mO 对比
IPD079N06L3GBTMA1 IPD079N06L3GBTMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比