IRFR3711TRPBF备选型号: IRFR3711ZTRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 元素配置
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    6.5MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    20V
    SINGLE
    鸥翼
    260
    100A
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    120W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    2980pF @ 10V
    44nC @ 4.5V
    220ns
    ±20V
    12 ns
    110A
    TO-252AA
    20V
    20V
    440A
    460 mJ
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    93A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    5.7MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    20V
    -
    鸥翼
    260
    93A
    30
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    79W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 15A, 10V
    2.45V @ 250μA
    2160pF @ 10V
    27nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    5.2 ns
    93A
    TO-252AA
    20V
    20V
    -
    -
    2.26mm
    6.7056mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Single
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTD110N02R NTD110N02R ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK 对比
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK 对比
NTD110N02RT4 NTD110N02RT4 ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK 对比