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首页 全部分类 IRFR3711TRPBF vs NTD110N02R

IRFR3711TRPBF备选型号: NTD110N02R

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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • HTS代码
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRFR3711TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    6.5MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    20V
    SINGLE
    鸥翼
    260
    100A
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    120W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    2980pF @ 10V
    44nC @ 4.5V
    220ns
    ±20V
    12 ns
    110A
    TO-252AA
    20V
    20V
    440A
    460 mJ
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD110N02R
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    12.5A Ta 110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2009
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    24V
    -
    鸥翼
    235
    110A
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    2.88W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.6m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    3440pF @ 20V
    28nC @ 4.5V
    39ns
    ±20V
    21 ns
    110A
    -
    20V
    24V
    -
    120 mJ
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    8541.29.00.95
    not_compliant
    3
    不合格
    Single
    12.5A
    0.0062Ohm
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