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首页 全部分类 IRFR3711TRPBF vs NTD80N02T4

IRFR3711TRPBF备选型号: NTD80N02T4

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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 无铅代码
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRFR3711TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    6.5MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    20V
    SINGLE
    鸥翼
    260
    100A
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    120W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    2980pF @ 10V
    44nC @ 4.5V
    220ns
    ±20V
    12 ns
    110A
    TO-252AA
    20V
    20V
    440A
    460 mJ
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD80N02T4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2008
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    24V
    -
    鸥翼
    240
    80A
    30
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5.8m Ω @ 80A, 10V
    3V @ 250μA
    2600pF @ 20V
    42nC @ 4.5V
    67ns
    ±20V
    40 ns
    80A
    -
    20V
    24V
    200A
    733 mJ
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
    yes
    not_compliant
    4
    不合格
    Single
    0.0058Ohm
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