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首页 全部分类 IRFR7540TRLPBF vs FDD86567-F085

IRFR7540TRLPBF备选型号: FDD86567-F085

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 终止次数
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFR7540TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 90A
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    6V 10V
    3.7V @ 100μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    N-Channel
    4.8m Ω @ 66A, 10V
    4360pF @ 25V
    130nC @ 10V
    60V
    ±20V
    90A
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86567-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    100A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    N-Channel
    3.2m Ω @ 80A, 10V
    4950pF @ 30V
    82nC @ 10V
    60V
    ±20V
    100A
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    -
    38 Weeks
    260.37mg
    SILICON
    MKT-TO252A03REV11
    2
    8541.29.00.95
    鸥翼
    260
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    227W
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0032Ohm
    60V
    115 mJ
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