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首页 全部分类 IRFR812TRPBF vs IPD60R1K0CEATMA1

IRFR812TRPBF备选型号: IPD60R1K0CEATMA1

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  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 质量
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFR812TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    2.2Ohm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 250μA
    810pF @ 25V
    20nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    17 ns
    3.6A
    TO-252AA
    20V
    500V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R1K0CEATMA1
    Infineon Technologies
    N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    4.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2015
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    -
    -
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 130μA
    280pF @ 100V
    13nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    13 ns
    4.3A
    -
    20V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3.949996g
    yes
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    Single
    600V
    1Ohm
    600V
    46 mJ
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IPD60R1K0CEATMA1 IPD60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK 对比