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首页 全部分类 IRFR812TRPBF vs SPD03N50C3ATMA1

IRFR812TRPBF备选型号: SPD03N50C3ATMA1

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  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFR812TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    2.2Ohm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 250μA
    810pF @ 25V
    20nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    17 ns
    3.6A
    TO-252AA
    20V
    500V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPD03N50C3ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    38W
    -
    10 ns
    N-Channel
    -
    1.4Ohm @ 2A, 10V
    3.9V @ 135μA
    350pF @ 25V
    15nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    15 ns
    3.2A
    -
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    PG-TO252-3-1
    150°C
    -55°C
    560V
    3.2A
    500V
    500V
    350pF
    1.25Ohm
    1.4 Ω
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IPD60R1K0CEATMA1 IPD60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK 对比