IRFR9120NTRPBF备选型号: ZXMN10A11KTC
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON6.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1998e3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99480mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE-100V鸥翼260-6.6A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET40WDRAIN14 nsP-ChannelSWITCHING480m Ω @ 3.9A, 10V4V @ 250μA350pF @ 25V27nC @ 10V47ns±20V31 ns-6.6A-4VTO-252AA20V-100V26A100V150 ns-4 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free-------
- MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK17 Weeks-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON2.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2010e3活跃1 (Unlimited)2-EAR99350mOhm低阈值-鸥翼260-40R-PSSO-G2Single增强型MOSFET8.5WDRAIN2.7 nsN-ChannelSWITCHING350m Ω @ 2.6A, 10V4V @ 250μA274pF @ 50V5.4nC @ 10V1.7ns±20V3.5 ns3.5A4V-20V-9.9A---2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅3.949996gnoMatte Tin (Sn)31100V2.4A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | 对比 |
![]() | ZXMN10A11KTC | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK | 对比 |




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