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IRFS31N20DTRLP备选型号: IRFS23N20DTRLP
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- JESD-609代码
- 终端
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK14 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON31A Tc2000HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)2EAR9982mOhm200V鸥翼31AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET200WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING82m Ω @ 18A, 10V5.5V @ 250μA2370pF @ 25V107nC @ 10V38ns±30V10 ns31A5.5V30V200V200V420 mJ5.5 V9.65mm10.668mm4.826mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅------- MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK14 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON24A Tc2004HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99100mOhm200V鸥翼24AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.8WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 14A, 10V5.5V @ 250μA1960pF @ 25V86nC @ 10V32ns±30V16 ns24A5.5V30V200V200V250 mJ5.5 V9.65mm10.668mm4.826mmROHS3 Compliant无无SVHCContains Lead, Lead Freee3SMD/SMTMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier2603096A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB33N25TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK | 对比 |
| IRFS23N20DTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 对比 |
| IRFS4620PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 对比 |
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