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IRFS3207ZPBF备选型号: IPB031NE7N3GATMA1
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008Discontinued1 (Unlimited)SMD/SMTEAR994.1MOhm75V170A300W20 nsN-Channel4.1m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6920pF @ 50V170nC @ 10V68ns±20V170A4V20V75V75V54 ns4 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------------------ Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008活跃1 (Unlimited)-EAR99---214W16 nsN-Channel3.1m Ω @ 100A, 10V3.8V @ 155μA8130pF @ 37.5V117nC @ 10V85ns±20V100A-20V---------ROHS3 Compliant-13 WeeksSILICONe3no2Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING75V10 ns400A75V640 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS3206 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK | 对比 |
| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| AUIRFS3207Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK | 对比 |
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