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IRFS3207ZTRRPBF备选型号: STH170N8F7-2
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- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING4.1m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6920pF @ 50V170nC @ 10V68ns±20V68 ns120A0.0041Ohm75V670A170 mJROHS3 Compliant无铅---
MOSFET N-CH 80V 120A-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--250W Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ F7--活跃1 (Unlimited)-EAR99--未说明未说明------N-Channel-3.7m Ω @ 60A, 10V4.5V @ 250μA8710pF @ 40V120nC @ 10V-±20V-120A----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)STH17080V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| AUIRFS3207Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK | 对比 |
| STH170N8F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V 120A | 对比 |
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