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IRFS3306TRLPBF备选型号: IRFS3306PBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 恢复时间
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005活跃1 (Unlimited)175°C-55°CSingle230W15 nsN-Channel4.2mOhm @ 75A, 10V4V @ 150μA4520pF @ 50V120nC @ 10V46ns60V±20V77 ns120A4V20V60V4.52nF4.2mOhm4.2 mΩ4 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------ MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2005Discontinued1 (Unlimited)--Single230mW15 nsN-Channel4.2m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA4520pF @ 50V120nC @ 10V46ns-±20V77 ns160A4V20V60V----2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅EAR994.2MOhm60V160A31 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF1405ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK | 对比 |
| IRF2805SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK | 对比 |
| IRFS3306PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
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