Infineon Technologies IRFS3306TRLPBF
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IRFS3306TRLPBF
1211-IRFS3306TRLPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
--最小包装量--
IRFS3306TRLPBF详情
Infineon Technologies IRFS3306TRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
230W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
230W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4520pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
120nC @ 10V
上升时间
46ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
77 ns
连续放电电流(ID)
120A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
输入电容
4.52nF
漏源电阻
4.2mOhm
最大rds
4.2 mΩ
栅源电压
4 V
高度
4.826mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFS3306TRLPBF拓展信息
Infineon Technologies
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