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首页 全部分类 IRFS3607PBF vs IRF1407STRLPBF

IRFS3607PBF备选型号: IRF1407STRLPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRFS3607PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.34 Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 140W; VGS /-2
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    Single
    140W
    16 ns
    N-Channel
    9m Ω @ 46A, 10V
    4V @ 100μA
    3070pF @ 50V
    84nC @ 10V
    110ns
    ±20V
    96 ns
    80A
    4V
    20V
    75V
    75V
    50 ns
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1407STRLPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    -
    3.8W
    11 ns
    N-Channel
    7.8m Ω @ 78A, 10V
    4V @ 250μA
    5600pF @ 25V
    250nC @ 10V
    150ns
    ±20V
    140 ns
    100A
    4V
    20V
    75V
    75V
    -
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    2
    7.8mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    75A
    520A
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