IRFS4228TRLPBF备选型号: IRFS4321PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK83A Tc-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007Obsolete1 (Unlimited)175°C-40°CSingle330W18 nsN-Channel15mOhm @ 33A, 10V5V @ 250μA4530pF @ 25V107nC @ 10V59ns150V±30V33 ns83A30V150V4.53nF12mOhm15 mΩ4.572mm10.668mm9.65mm符合RoHS标准------------
- MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-85A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2007Discontinued1 (Unlimited)--Single330W18 nsN-Channel15m Ω @ 33A, 10V5V @ 250μA4460pF @ 25V110nC @ 10V60ns-±30V35 ns83A30V150V---4.826mm10.668mm9.65mmROHS3 CompliantSMD/SMTEAR9915MOhm150V83A5V150V130 ns5 V无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK | 对比 |
![]() | IRFS4321PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | 对比 |
![]() | FDB110N15A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 92A, D2PAK - More Details | 对比 |




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