Infineon Technologies IRFS4228TRLPBF
- 收藏
- 对比
IRFS4228TRLPBF
1211-IRFS4228TRLPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
1最小包装量--
IRFS4228TRLPBF详情
Infineon Technologies IRFS4228TRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
83A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
330W Tc
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-40°C
元素配置
Single
功率耗散
330W
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15mOhm @ 33A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4530pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
107nC @ 10V
上升时间
59ns
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
33 ns
连续放电电流(ID)
83A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
150V
输入电容
4.53nF
漏源电阻
12mOhm
最大rds
15 mΩ
高度
4.572mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
RoHS状态
符合RoHS标准
IRFS4228TRLPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。