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IRFS4229TRLPBF备选型号: IRFS4229PBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON45A Tc-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e3活跃1 (Unlimited)2EAR9948MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET330WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING48m Ω @ 26A, 10V5V @ 250μA4560pF @ 25V110nC @ 10V31ns±30V21 ns45A30V250V4.572mm10.668mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅------- MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-45A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2008-Discontinued1 (Unlimited)-EAR99------Single-330W-18 nsN-Channel-48m Ω @ 26A, 10V5V @ 250μA4560pF @ 25V110nC @ 10V-±30V-45A30V250V4.572mm10.67mm9.65mm-ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT5V250V290 ns5 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4229PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | 对比 |
 | FDB33N25TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK | 对比 |
| FDB44N25TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ON SEMICONDUCTOR - FDB44N25TM - MOSFET, N-CH, 250V, 44A, TO-263AB-2 | 对比 |
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