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IRFS4620PBF备选型号: FQB34N20LTM
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
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- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 雪崩能量等级（Eas）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB324A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2007Discontinued1 (Unlimited)SMD/SMTEAR99Single144W13.4 nsN-Channel77.5m Ω @ 15A, 10V5V @ 100μA1710pF @ 50V38nC @ 10V22.4ns±20V14.8 ns24A5V20V200V200V5 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-----------------
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB231A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)QFET®2000活跃1 (Unlimited)SMD/SMTEAR99Single3.13W45 nsN-Channel75m Ω @ 15.5A, 10V2V @ 250μA3900pF @ 25V72nC @ 5V520ns±20V370 ns31A2V20V200V200V2 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)1.31247gSILICONe3yes275mOhmTin (Sn)200V鸥翼31A增强型MOSFETDRAINSWITCHING640 mJ67 pF无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB34N20LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | 对比 |
| STB30NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK | 对比 |
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