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IRFS5620TRLPBF备选型号: IRFS4620PBF
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 系列
- 终端
- ECCN 代码
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK24A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2008Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle144W8.6 nsN-Channel77.5mOhm @ 15A, 10V5V @ 100μA1710pF @ 50V38nC @ 10V14.6ns200V±20V9.9 ns24A20V200V1.71nF77.5mOhm77.5 mΩ无符合RoHS标准------------- MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-24A Tc-55°C~175°C TJTube2007Discontinued1 (Unlimited)--Single144W13.4 nsN-Channel77.5m Ω @ 15A, 10V5V @ 100μA1710pF @ 50V38nC @ 10V22.4ns-±20V14.8 ns24A20V200V----ROHS3 Compliant14 WeeksHEXFET®SMD/SMTEAR995V200V5 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB34N20LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | 对比 |
| STB30NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK | 对比 |
| IRFS4620PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 对比 |
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