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首页 全部分类 IRFS7734-7PPBF vs AUIRFS3107-7P

IRFS7734-7PPBF备选型号: AUIRFS3107-7P

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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFS7734-7PPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    1.59999g
    197A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2005
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1
    Single
    294W
    17 ns
    N-Channel
    3.05m Ω @ 100A, 10V
    3.7V @ 150μA
    10130pF @ 25V
    270nC @ 10V
    85ns
    75V
    ±20V
    75 ns
    197A
    20V
    4.83mm
    10.54mm
    9.65mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS3107-7P
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK-7P
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    -
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    Single
    370W
    17 ns
    N-Channel
    2.6m Ω @ 160A, 10V
    4V @ 250μA
    9200pF @ 50V
    240nC @ 10V
    80ns
    -
    ±20V
    64 ns
    240A
    20V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    SILICON
    e3
    6
    超低电阻
    鸥翼
    R-PSSO-G6
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-263CB
    0.0026Ohm
    75V
    320 mJ
    无
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