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IRFS7787TRLPBF备选型号: HUF75344S3ST
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996gSILICON76A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2009活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼未说明未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING8.4m Ω @ 46A, 10V3.7V @ 100μA4020pF @ 25V109nC @ 10V48ns75V±20V39 ns76A20V0.0084Ohm280A75V209 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2004Obsolete1 (Unlimited)-------Single---N-Channel-8mOhm @ 75A, 10V4V @ 250μA3200pF @ 25V210nC @ 20V125ns55V±20V57 ns75A20V--------符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)175°C-55°C55V75A285W55V3.2nF8mOhm8 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF75344S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IRFS7762PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK | 对比 |
| IRFS7787PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK | 对比 |
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