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首页 全部分类 IRFSL38N20DPBF vs IRFSL4620PBF

IRFSL38N20DPBF备选型号: IRFSL4620PBF

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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
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  • 供应商器件包装
  • 操作温度
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  • 电阻
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFSL38N20DPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFSL38N20DPBF MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 200 V, 0.054 ohm, 10 V, 5 VNew
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    43A Tc
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    175°C
    -55°C
    300W
    SINGLE
    260
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.8W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    54m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    2900pF @ 25V
    91nC @ 10V
    95ns
    200V
    47 ns
    44A
    5V
    30V
    0.054Ohm
    200V
    460 mJ
    9.65mm
    10.67mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFSL4620PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 24A TO262
    -
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    24A Tc
    Tube
    HEXFET®
    2008
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    175°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    144W
    -
    13.4 ns
    N-Channel
    -
    77.5mOhm @ 15A, 10V
    5V @ 100μA
    1710pF @ 50V
    38nC @ 10V
    22.4ns
    200V
    14.8 ns
    24A
    5V
    20V
    -
    -
    -
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    TO-262
    -55°C~175°C TJ
    通孔
    63.7MOhm
    Single
    ±20V
    200V
    200V
    1.71nF
    77.5mOhm
    77.5 mΩ
    5 V
    无铅
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