IRFSL4620PBF备选型号: IRF5305LPBF

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  • 最高工作温度
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  • 元素配置
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 24A TO262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    TO-262
    24A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    63.7MOhm
    175°C
    -55°C
    Single
    144W
    13.4 ns
    N-Channel
    77.5mOhm @ 15A, 10V
    5V @ 100μA
    1710pF @ 50V
    38nC @ 10V
    22.4ns
    200V
    ±20V
    14.8 ns
    24A
    5V
    20V
    200V
    200V
    1.71nF
    77.5mOhm
    77.5 mΩ
    5 V
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    TO-262
    31A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    60mOhm
    175°C
    -55°C
    -
    110W
    14 ns
    P-Channel
    60mOhm @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    1200pF @ 25V
    63nC @ 10V
    66ns
    55V
    ±20V
    63 ns
    -31A
    -
    20V
    -55V
    -
    1.2nF
    60mOhm
    60 mΩ
    -4 V
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
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