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IRFU1010ZPBF备选型号: IRFU1205PBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 螺纹距离
- 引线长度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3IPAK (TO-251)42A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)通孔7.5MOhm175°C-55°C55V42A2.28mm9.65mm140W17 nsN-Channel7.5mOhm @ 42A, 10V4V @ 100μA2840pF @ 25V95nC @ 10V76ns55V±20V48 ns42A4V20V55V55V2.84nF7.5mOhm7.5 mΩ4 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无符合RoHS标准无铅------------------ MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3-44A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)-27mOhm--55V44A--69W7.3 nsN-Channel27m Ω @ 26A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V65nC @ 10V69ns-±20V60 ns44A-20V55V-----6.22mm6.7056mm2.3876mm-无ROHS3 Compliant无铅14 WeeksSILICONe33EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCESINGLE26030SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING20A160A210 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD32N06-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 32A IPAK | 对比 |
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK | 对比 |
| IRFU1205PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK | 对比 |
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