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IRFU1010ZPBF备选型号: NTD32N06-1G
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- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 螺纹距离
- 引线长度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3IPAK (TO-251)42A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)通孔7.5MOhm175°C-55°C55V42A2.28mm9.65mm140W17 nsN-Channel7.5mOhm @ 42A, 10V4V @ 100μA2840pF @ 25V95nC @ 10V76ns55V±20V48 ns42A4V20V55V55V2.84nF7.5mOhm7.5 mΩ4 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无符合RoHS标准无铅----------------
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3-32A Ta-55°C~175°C TJTube-2007Obsolete1 (Unlimited)----60V32A--93.75W-N-Channel26m Ω @ 16A, 10V4V @ 250μA1725pF @ 25V60nC @ 10V84ns-±20V93 ns32A-20V60V----------符合RoHS标准无铅SILICONe33EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95260未说明3不合格Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.026Ohm90A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD32N06-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 32A IPAK | 对比 |
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK | 对比 |
| IRFU1205PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK | 对比 |
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