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IRFU3607PBF备选型号: IRFU1018EPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK12 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON56A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008e3活跃1 (Unlimited)3通孔EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26030Single增强型MOSFET140WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 46A, 10V4V @ 100μA3070pF @ 50V84nC @ 10V110ns±20V96 ns56A4V20V80A0.009Ohm75V75V50 ns4 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON56A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2009e3Obsolete1 (Unlimited)3-EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26030Single增强型MOSFET110WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING8.4m Ω @ 47A, 10V4V @ 100μA2290pF @ 50V69nC @ 10V35ns±20V46 ns56A4V20V79A-60V-39 ns-6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无符合RoHS标准无铅8.4MOhm88 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU1018EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK | 对比 |
| IRFU1010ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | 对比 |
| AUIRFU3607 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N CH 75V 56A I-PAK | 对比 |
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