Infineon Technologies IRFU1018EPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

8.4MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.4m Ω @ 47A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2290pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

69nC @ 10V

上升时间

35ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

46 ns

连续放电电流(ID)

56A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

79A

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

88 mJ

恢复时间

39 ns

高度

6.22mm

长度

6.7056mm

宽度

2.3876mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅