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IRFU3711ZPBF备选型号: IRLU8256PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 终端
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 20V 93A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON93A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)3EAR9920V93ASingle增强型MOSFET79WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING5.7m Ω @ 15A, 10V2.45V @ 250μA2160pF @ 10V27nC @ 4.5V13ns±20V5.2 ns93A2V20V0.0057Ohm20V140 mJ28 ns2 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无符合RoHS标准无铅---------- MOSFET N-CH 25V 81A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3-81A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)------63W-9.7 nsN-Channel-5.7mOhm @ 25A, 10V2.35V @ 25μA1470pF @ 13V15nC @ 4.5V46ns±20V8.5 ns81A1.8V20V-25V-29 ns1.8 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无符合RoHS标准-I-PAK通孔175°C-55°C25V25V1.47nF8.5mOhm5.7 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLU8256PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 81A IPAK | 对比 |
 | NTD85N02R-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK | 对比 |
 | NTD78N03-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK | 对比 |
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