Infineon Technologies IRLU8256PBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

供应商器件包装

I-PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

81A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

63W Tc

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

63W

接通延迟时间

9.7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.7mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1470pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 4.5V

上升时间

46ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8.5 ns

连续放电电流(ID)

81A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

双电源电压

25V

输入电容

1.47nF

恢复时间

29 ns

漏源电阻

8.5mOhm

最大rds

5.7 mΩ

栅源电压

1.8 V

高度

6.22mm

长度

6.7056mm

宽度

2.3876mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准