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IRFU3910PBF备选型号: IRLU3410PBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 螺纹距离
- 引线长度
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 端子位置
- 配置
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK12 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON16A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®1998e3活跃1 (Unlimited)3通孔EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier雪崩 额定100V26016A30不合格2.28mm9.65mmSingle增强型MOSFET52WDRAIN6.4 nsN-ChannelSWITCHING115m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA640pF @ 25V44nC @ 10V27ns±20V25 ns16A4V20V15A0.115Ohm100V60A100V150 mJ4 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHCROHS3 Compliant无铅----- MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK12 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON17A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)3-EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE100V26017A30----增强型MOSFET52WDRAIN7.2 nsN-ChannelSWITCHING105m Ω @ 10A, 10V2V @ 250μA800pF @ 25V34nC @ 5V53ns±16V26 ns17A2V16V--100V60A100V150 mJ2 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHCROHS3 Compliant无铅105mOhmSINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD12N10-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK | 对比 |
| IRLU3410PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK | 对比 |
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