ON Semiconductor NTD12N10-1G

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.28W Ta 56.6W Tc

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

12A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

56.6W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

165m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

雪崩能量等级（Eas）

75 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅