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首页 全部分类 IRFU7440PBF vs FDU8874

IRFU7440PBF备选型号: FDU8874

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Infineon Technologies
    IRFU7440PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 2.4 mOhm 89 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.4MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 90A, 10V
    3.9V @ 100μA
    4610pF @ 25V
    134nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    34 ns
    90A
    3V
    20V
    40V
    760A
    3 V
    6.22mm
    6.73mm
    2.39mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDU8874
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK
    -
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    -
    18A Ta 116A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    -
    110W
    -
    -
    N-Channel
    -
    5.1m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2990pF @ 15V
    72nC @ 10V
    96ns
    ±20V
    37 ns
    116A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    30V
    未说明
    116A
    未说明
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