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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥19.258647
10
¥18.168534
100
¥17.140127
500
¥16.169932
1000
¥15.254652
Infineon Technologies AUIRFU8403
- 收藏
- 对比
AUIRFU8403
1211-AUIRFU8403
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AUIRFU8403详情
Infineon Technologies AUIRFU8403重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Power Dissipation (Max)
99W Tc
Turn Off Delay Time
31 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.9V @ 100μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
系列
HEXFET®
已出版
2013
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
99W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.1m Ω @ 76A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3171pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
99nC @ 10V
上升时间
32ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
栅源电压
3 V
高度
6.22mm
长度
6.73mm
宽度
2.39mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AUIRFU8403拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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