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IRFZ44VPBF备选型号: HUF75333P3
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON1-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2000活跃1 (Unlimited)3通孔EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE60V55ASingle增强型MOSFET115WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING16.5m Ω @ 31A, 10V4V @ 250μA1812pF @ 25V67nC @ 10V97ns±20V57 ns55A4VTO-220AB20V60V220A60V105 ns4 V4.826mm8.77mm10.668mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB-通孔通孔TO-220-33-66A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2002Obsolete1 (Unlimited)----55V60ASingle-150W--N-Channel-16mOhm @ 66A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V85nC @ 20V55ns±20V25 ns66A4V-20V55V-------无SVHC-符合RoHS标准无铅TO-220-3175°C-55°C55V1.3nF16mOhm16 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ48NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB | 对比 |
| IRFZ46NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB | 对比 |
| HUF75333P3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB | 对比 |
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