IRG4BC10UDPBF备选型号: IRG4BC10KDPBF
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- 电压 - 额定直流
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- 输入类型
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- 晶体管应用
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- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
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- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 附加功能
- IGBT 600V 8.5A 38W TO220AB16 Weeks通孔通孔TO-220-336.000006gSILICON600V2.6V-55°C~150°C TJTube2000Obsolete1 (Unlimited)3EAR99600V38W8.5ASingle38WCOLLECTORStandard40 ns电源控制16nsN-CHANNEL2.6V8.5A28 nsTO-220AB56 ns2.6V @ 15V, 5A345 ns15nC34A40ns/87ns140μJ (on), 120μJ (off)20V6V210ns15.24mm10.5156mm4.69mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--
- IGBT 600V 9A 38W TO220AB16 Weeks通孔通孔TO-220-33-SILICON600V2.39V-55°C~150°C TJTube2000Obsolete1 (Unlimited)3EAR99600V38W9ASingle38WCOLLECTORStandard46 nsMOTOR CONTROL32nsN-CHANNEL2.62V9A-TO-220AB78 ns2.62V @ 15V, 5A410 ns19nC18A49ns/97ns250μJ (on), 140μJ (off)20V6.5V210ns8.77mm10.5156mm4.69mm无SVHC无符合RoHS标准Contains Lead, Lead Free通孔低导通损耗
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4BC15UDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 14A 49W TO220AB | 对比 |
![]() | IRG4BC10KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 9A 38W TO220AB | 对比 |
| FGP5N60LS | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 10A 83W TO220 | 对比 |



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