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首页 全部分类 IRG4BC20KDPBF vs HGTP3N60A4

IRG4BC20KDPBF备选型号: HGTP3N60A4

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • Infineon Technologies
    IRG4BC20KDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 16A 60W TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    SILICON
    600V
    2.27V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    600V
    60W
    16A
    Single
    60W
    COLLECTOR
    Standard
    54 ns
    MOTOR CONTROL
    34ns
    N-CHANNEL
    2.8V
    16A
    37 ns
    TO-220AB
    88 ns
    2.8V @ 15V, 9A
    380 ns
    34nC
    32A
    54ns/180ns
    340μJ (on), 300μJ (off)
    20V
    6V
    110ns
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTP3N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 17A 70W TO220AB
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    600V
    2.05V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    600V
    70W
    17A
    Single
    70W
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    600V
    17A
    -
    TO-220AB
    17.5 ns
    2.7V @ 15V, 3A
    180 ns
    21nC
    40A
    6ns/73ns
    37μJ (on), 25μJ (off)
    20V
    7V
    100ns
    9.02mm
    10.28mm
    4.57mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
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