ON Semiconductor HGTP3N60A4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.05V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 3A, 50 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

70W

额定电流

17A

元素配置

Single

功率耗散

70W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

上升时间

11ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

17A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

17.5 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 3A

关断时间-标准值（toff)

180 ns

闸门收费

21nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

Td（开/关）@25°C

6ns/73ns

开关能量

37μJ (on), 25μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7V

最大下降时间 (tf)

100ns

高度

9.02mm

长度

10.28mm

宽度

4.57mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅