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首页 全部分类 IRG4BC20SDPBF vs HGTP7N60B3D

IRG4BC20SDPBF备选型号: HGTP7N60B3D

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  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 基本部件号
  • Infineon Technologies
    IRG4BC20SDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 19A 60W TO220AB
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    1.6V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    600V
    60W
    19A
    Single
    60W
    COLLECTOR
    Standard
    62 ns
    电源控制
    35ns
    N-CHANNEL
    1.6V
    19A
    37 ns
    TO-220AB
    99 ns
    1.6V @ 15V, 10A
    1780 ns
    27nC
    38A
    62ns/690ns
    320μJ (on), 2.58mJ (off)
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTP7N60B3D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 14A 60W TO220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    600V
    60W
    14A
    Single
    60W
    -
    Standard
    -
    -
    -
    -
    600V
    14A
    37ns
    -
    -
    2.1V @ 15V, 7A
    -
    23nC
    56A
    26ns/130ns
    160μJ (on), 120μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    1.8g
    HGTP7N60
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