IRG4BC20UPBF备选型号: HGTP7N60C3D

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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 箱体转运
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 13A 60W TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    超快
    600V
    60W
    13A
    Single
    60W
    Standard
    21 ns
    电源控制
    13ns
    N-CHANNEL
    2.1V
    13A
    TO-220AB
    530pF
    34 ns
    2.1V @ 15V, 6.5A
    330 ns
    27nC
    52A
    21ns/86ns
    100μJ (on), 120μJ (off)
    20V
    6V
    180ns
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IGBT 600V 14A 60W TO220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    600V
    1.6V
    -
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    低导通损耗
    600V
    60W
    14A
    Single
    60W
    Standard
    8.5 ns
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    600V
    14A
    TO-220AB
    -
    20 ns
    2V @ 15V, 7A
    490 ns
    23nC
    56A
    -
    165μJ (on), 600μJ (off)
    -
    -
    -
    9.02mm
    10.28mm
    4.57mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    150°C
    -40°C
    HGTP7N60
    COLLECTOR
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